绝缘金线,动态硅通孔填充⼯艺

目前对TSV填充的研究主要集中在条件优化和填充机理上。
为了实现⽆缺陷的 TSV 填充，电镀溶液中的特定添加剂，即
氯离⼦、抑制剂和促进剂进⾏了深⼊研究 。与特定添加剂和
通孔结构相对应的佳电沉积参数已被⼴泛研究。. 在这些参
数中，电流密度对填充形态的影响尤为显着。尽管特定的添
加剂可以有效地实现⽆缺陷填充，但所需的步骤很复杂，沉
积速率低，相关成本⾼。为了克服添加剂辅助填充⽅法的缺
陷，⼴泛研究了脉冲电流、脉冲反向电流、周期性脉冲反向
电流和多步电流等电镀电流波形. 同时，已经引用了⼏种机制
来解释⽆缺陷填充过程，例如传统的流平模型、对流相关吸
附模型、时间相关传输-吸附模型和曲率增强加速器覆盖模
型。动态 TSV 填充对于 TSV 填充研究的各个⽅面都很重要。
它是优化条件的基础，反映了填充模型的机制。然⽽，现有
的研究只关注在特定时刻获得的填充结果。很少系统地研究
连续和全面的动态 TSV 填充过程。在这项研究中，我们通过
在不同电流密度下的分阶段电沉积实验证明了 TSV 动态填充
过程。获得了实现⽆缺陷填充的佳电流密度。讨论了电流
密度对填充模型的影响。此外，镀层的形态演变表明，局部
沉积速率受镀层⼏何特征的影响。

北京汐源科技有限公司
随着电子产品 半导体产品不断的更新换代 在国家对高科技产业的大力支持下 汐源科技同时也为电子 半导体行业提供良好的保障。
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在三维集成中 TSV 技术可分为三种类型:在 CMOS ⼯艺过程之前在硅片 上完成
通孔制作和导电材料填充的是先通孔技术;⽽中通孔，在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后⼀种后通孔技术是在 CMOS ⼯艺完成后但未
进⾏减薄处理时制作通孔。终技术⽅案的选择要 根据不同的⽣产需求。

北京汐源科技有限公司 汉高授权代理商，专注于电源、新能源、汽车电子、半导体行业胶黏剂产品，公司拥有一批高素质的技术人员，为了客户提供胶黏剂技术一站式解决方案。
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