黑龙江铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺晶圆,动态硅通孔填充⼯艺

目前对TSV填充的研究主要集中在条件优化和填充机理上。
为了实现⽆缺陷的 TSV 填充，电镀溶液中的特定添加剂，即
氯离⼦、抑制剂和促进剂进⾏了深⼊研究 。与特定添加剂和
通孔结构相对应的佳电沉积参数已被⼴泛研究。. 在这些参
数中，电流密度对填充形态的影响尤为显着。尽管特定的添
加剂可以有效地实现⽆缺陷填充，但所需的步骤很复杂，沉
积速率低，相关成本⾼。为了克服添加剂辅助填充⽅法的缺
陷，⼴泛研究了脉冲电流、脉冲反向电流、周期性脉冲反向
电流和多步电流等电镀电流波形. 同时，已经引用了⼏种机制
来解释⽆缺陷填充过程，例如传统的流平模型、对流相关吸
附模型、时间相关传输-吸附模型和曲率增强加速器覆盖模
型。动态 TSV 填充对于 TSV 填充研究的各个⽅面都很重要。
它是优化条件的基础，反映了填充模型的机制。然⽽，现有
的研究只关注在特定时刻获得的填充结果。很少系统地研究
连续和全面的动态 TSV 填充过程。在这项研究中，我们通过
在不同电流密度下的分阶段电沉积实验证明了 TSV 动态填充
过程。获得了实现⽆缺陷填充的佳电流密度。讨论了电流
密度对填充模型的影响。此外，镀层的形态演变表明，局部
沉积速率受镀层⼏何特征的影响。

北京汐源科技有限公司
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TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀，自下⽽上的密封凸点电镀， 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说， TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度，⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。

STYCAST 2561/CAT 11
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
乐泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
乐泰 STYCAST 50500D
乐泰 STYCAST A312
乐泰 STYCAST E1070
乐泰 STYCAST E1847
乐泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
乐泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
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LOCTITE ABLESTIK 2025D
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MEMS导电胶 绝缘胶 低应力胶2025D 84-1LMI JM7000
厚膜导电胶84-1A 84-1LMI 84-1LMIT1 JM7000 84-3 2025D
厚膜电路胶膜 506胶膜 5020胶膜 厚膜电路灌封胶 厚膜电路用胶 IGBT灌封胶
84-3J绝缘胶 芯片绝缘胶 乐泰导电胶 乐泰三防漆3900， 乐泰绝缘胶，芯片封装胶，
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