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ONSEMI/安森美常用型号15-500 |
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NCV3063MNTXG
该降压-升压反相开关稳压器由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成。新功能包括内部热关断保护和逐周期电流限制。该系列设计用于降压（降压）和升压（升压）以及电压反相应用，只需少的外部元件。该NCV3063可用于汽车应用。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NOIP1SE0480A-STI1
NCV8187AMLE330TCG
FFSH20120ADN-F155
FFSH20120ADN-F155
FFSH40120ADN-F155
FFSH15120ADN-F155
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！
NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，专为紧凑、的设计而设计，并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
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FSA2567UMX简述：
模拟开关（DPDT、SPDT、SPST 和其他配置），用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、，针对双SIM卡的双掷（4PDT）模拟开关多路复用。它经过优化，可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号，并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容（CON），以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压（VCC）。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序，如手机；允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFWD024N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS020N06CT1G
NVMYS003N08LHTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS4D1N06CLTWG
PCS3P8504AG-08CR
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