MURB1620CTRT4G，开关二极管ON/安森美原装供货

FSUSB42MUX
FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关 （DPDT） 开关，针对在两个高速 （480Mbps） 源或高速和全速 （12Mbps） 源之间切换进行了优化。该FSUSB42兼容 USB2.0 的要求，并具有极低的导通电容 （C上）为5.5pF。该器件的宽带宽（720MHz）超过了通过三次谐波所需的带宽，从而使信号具有小的边沿和相位失真。出色的通道间串扰也大限度地减少了干扰。该FSUSB42在开关 I/O 引脚上包含特殊电路，用于 V抄送电源断电（V抄送=0），允许器件承受过压条件。该器件旨在将电流消耗降至低，即使施加到 SEL 引脚的控制电压低于电源电压 （V抄送).此功能对于超便携应用（如手机）特别有价值，允许与基带处理器的通用 I/O 直接连接。其他应用包括便携式手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本电脑中的开关和连接器共享。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVH4L080N120SC1
NVH4L160N120SC1
NTH4L075N065SC1
NTH4L060N065SC1
NTH4L040N120M3S
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

NTHL027N65S3HF功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®

功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结 （SJ） MOSFET 系列，该系列采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种的技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适合各种小型化和更率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路，用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品，工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV8177BMX330TCG
LP2950CDT-5.0RKG
MC100EL1648DTR2G
LM2575D2T-ADJR4G
LM2575D2T-ADJR4G
NCV891930MW01R2G
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET （Q1），该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET （Q6）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV4276CDSADJR4G
NCP3335ADM180R2G
NCP3335ADM250R2G
NCV8730ASN330T1G
NCV8730ASN330T1G
NCV59749MNADJTBG
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